2025年7月9日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布了JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率6（LPDDR6）標(biāo)準(zhǔn)，旨在顯著提升多種應(yīng)用場景（包括移動設(shè)備和人工智能）的內(nèi)存速度與效率。
性能提升：
雙子通道架構(gòu)：采用雙子通道架構(gòu)，每顆裸片支持兩個子通道，每個子通道有12個數(shù)據(jù)信號線，優(yōu)化通道性能。同時保持最小訪問間隔32字節(jié)，允許更靈活的操作，還支持32/64字節(jié)訪問。
優(yōu)化指令尋址：每個子通道包含4個指令/尋址指令，優(yōu)化減少焊球數(shù)量，改進(jìn)數(shù)據(jù)訪問速度。
支持靜態(tài)能效模式：可支持更大容量，最大化利用bank資源。
改進(jìn)信號完整性：支持動態(tài)寫入NT-ODT（非目標(biāo)片上終止），可以根據(jù)負(fù)載需求調(diào)整ODT，改進(jìn)信號完整性。
能效改進(jìn)：
降低電壓功耗：采用更低的電壓和低功耗VDD2供電，并且規(guī)定VDD2需采用雙電源供電。
交替時鐘命令輸入：提高性能和能效。
低功耗動態(tài)電壓頻率調(diào)整：在低頻率運(yùn)行時減少VDD2供電，從而節(jié)省功耗。
動態(tài)效率模式：采用單個子通道接口，適合低功耗、低帶寬場景。
刷新功耗降低：支持部分自刷新、主動刷新，降低刷新功耗。
安全性與可靠性增強(qiáng)：
支持每行激活計數(shù)：支持內(nèi)存數(shù)據(jù)完整性。
預(yù)留元模式：通過為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域，提高整體系統(tǒng)可靠性。
可編程鏈路保護(hù)機(jī)制：支持可編程鏈路保護(hù)機(jī)制、ECC糾錯校驗。
增強(qiáng)錯誤檢測：支持命令/地址（CA）奇偶校驗、錯誤擦洗、內(nèi)存內(nèi)置自測試（MBIST），以增強(qiáng)錯誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。
Advantest、Cadence、Synopsys、三星、SK海力士、美光、高通、聯(lián)發(fā)科等半導(dǎo)體測試廠商、內(nèi)存芯片廠商、終端廠商都表達(dá)了對LPDDR6的支持和期待。預(yù)計2025年下半年高通首發(fā)的LPDDR6內(nèi)存將量產(chǎn)，可能會應(yīng)用于驍龍8至尊二代等平臺。
